拉晶過程全程自動(dòng)化
在惰性氣體環(huán)境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，
用直拉法生長無位錯(cuò)單晶的設(shè)備。
性能優(yōu)勢
大直徑設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)：匹配大直徑單晶硅棒生長所需空間。
可采用連續(xù)加料裝置。
采用超低碳不銹鋼材料，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。
| 8英寸硅部件級(jí)單晶爐 | |||
| 型號(hào) | FT-CZ1200Si | ||
| 場所 | 周圍溫度 | 15 ~ 30℃ | |
| 周圍濕度 | ≤65%（無結(jié)露，腐蝕氣體） | ||
| 潔凈度 | 一般環(huán)境水平 | ||
| 噪音 | ≤75db | ||
| 地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
| 電源 | 額定電壓 | 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz | |
| 額定電容 | 320kVA | ||
| 額定流量 | 500A | ||
| 冷卻水 | 流量范圍 | 350~400L/min | |
| 供給壓力 | 0.3~0.5MPa | ||
| 重量 | 設(shè)備高度 | ＜8250mm △ | |
| 設(shè)備重量 | 約10T | ||
△ 項(xiàng)數(shù)據(jù)視上爐筒高度而定，本設(shè)備數(shù)據(jù)不含磁場。
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